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1.
HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究
杜彦浩,罗伟科,吴洁君, John Goldsmith, 韩彤,杨志坚,于彤军, 张国义
北京大学学报(自然科学版)
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2.
应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN
龙涛,杨志坚,张国义
北京大学学报(自然科学版)
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应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中,在经过800℃, 1h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×10
17
cm
-3
)的P-型GaN。首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度。
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